Специалисты Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» совместно с зарубежными коллегами предложили новую технологию выращивания двумерного теллурида галлия — важного для передовой электроники материала.
Обладающие уникальными свойствами 2D-материалы имеют слоистую структуру — из-за несоответствий между кристаллическими решетками их крайне трудно вырастить на стандартных полупроводниковых подложках.
Эту проблему удалось решить новым методом создания 2D-кристаллов теллурида галлия на кремниевой подложке. Полученный таким образом материал имеет стабильную оптически активную структуру. Открытие позволит разработать новые фотодетекторы, элементы для солнечной энергетики или для дисплеев нового поколения.
Научный коллектив намерен продолжить как разработку других двумерных материалов на подложке кремния, так и фундаментальные исследования в этой области.
По материалам «РИА Новости».
